Micron fala sobre o rompimento com a Intel sobre o nand
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Micron falou da razão por trás do rompimento com a Intel em relação à colaboração no desenvolvimento da memória NAND. Em janeiro passado, a Intel e a Micron anunciaram que sua união no desenvolvimento da memória NAND estava chegando ao fim, e as duas empresas planejam continuar evoluindo independentemente sua tecnologia NAND.
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A razão por trás dessa separação era desconhecida até agora, embora tudo indicasse que a Intel e a Micron queriam levar sua tecnologia NAND em direções separadas. A Micron e a Intel usam a tecnologia NAND Floating Gate, uma técnica de produção que eles promovem como superior ao modelo Charge-Trap, usada por quase todos os outros fabricantes, como Samsung, SK Hynix, Western Digital e Toshiba. Olhando para a quarta geração, a Micron planeja mudar para o Charge-Trap, deixando a Intel como a única apoiante da tecnologia Floating Gate.
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Até agora, a Micron estava cética quanto à longevidade da memória NAND 3D Charg-Trap, especulando que os dados podem ser perdidos após seis meses sem energia. Portanto, a Micron não acreditava que o NAND desenvolvido com o Charge-Trap fosse utilizável como um meio de armazenamento não volátil a longo prazo. Atualmente, a maioria dos fabricantes usa o Charge-Trap sem sinais de problemas de perda de dados; portanto, a Micron decidiu adotar essa tecnologia que até agora rejeitou.
Apesar dessa ruptura, as duas empresas continuam trabalhando juntas no desenvolvimento da memória XPoint, com planos de continuar desenvolvendo a tecnologia como um meio de armazenamento não volátil e como uma alternativa à DRAM em aplicativos selecionados.
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