Samsung abandonará a tecnologia finfet a 3nm, prevista para 2022

Durante o evento Samsung Foundry Forum 2018, a gigante sul-coreana revelou uma série de novas melhorias em sua tecnologia de processo voltada para computação de alto desempenho e dispositivos conectados. A empresa abandonará a tecnologia FinFET a 3nm.

Samsung substituirá o FinFET por um novo transistor com 3 nm, todos os detalhes

O novo roteiro de Samsu ng concentra-se em fornecer aos clientes sistemas mais eficientes em termos de energia para dispositivos direcionados a uma ampla variedade de indústrias. Charlie Bae, vice-presidente executivo e diretor de vendas e marketing da fundição, diz: "A tendência para um mundo mais inteligente e conectado está tornando a indústria mais exigente dos fornecedores de silício".

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A próxima tecnologia de processo da Samsung é o Low Power Plus 7nm, baseado na litografia EUV, que entrará na fase de produção em massa durante o segundo semestre deste ano e se expandirá durante o primeiro semestre de 2019. O próximo passo será o processo Baixo. Potência 5nm adiantados que melhorarão a eficiência energética de 7nm para um novo nível. Esses processos ainda serão baseados na tecnologia FinFET, assim como o próximo a 4nm.

A tecnologia FinFET será abandonada com a mudança para o processo Gate / All-Around Early / Plus de 3 nm, que será baseado em um tipo mais novo de transistor que permite resolver os problemas físicos de escala presentes no FinFET. Ainda faltam alguns anos para que esse processo de fabricação chegue às 7 nm, as primeiras estimativas apontam para o ano de 2022, embora a coisa mais normal seja que haja alguns atrasos envolvidos.

Estamos nos aproximando do limite de silício, estimado em 1 nm, dificultando o avanço de novos processos de fabricação e as lacunas estão diminuindo.

Fonte Techspot