Samsung apresenta nova memória hbm2e de alta largura de banda

A Samsung acaba de lançar sua nova memória de alta largura de banda HBM2E (Flashbolt) no evento GTC 2019 da NVIDIA. A nova memória foi projetada para fornecer desempenho máximo de DRAM para uso em supercomputadores, sistemas gráficos e inteligência artificial (IA) da próxima geração.

O HBM2E oferece 33% mais velocidade que a geração anterior do HBM2

A nova solução, chamada Flashbolt, é a primeira memória HBM2E do setor a oferecer uma taxa de transferência de dados de 3, 2 gigabits por segundo (Gbps) por pino, o que representa 33% mais velocidade do que a geração anterior do HBM2. O Flashbolt tem uma densidade de 16Gb por matriz, o dobro da capacidade da geração anterior. Com esses aprimoramentos, um único pacote Samsung HBM2E oferecerá uma largura de banda de 410 gigabytes por segundo (GBps) e 16 GB de memória.

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Isso representa uma inovação, que pode melhorar ainda mais o desempenho das placas gráficas que a utilizam. Não se sabe se a nova geração AMD Navi usou esse tipo de memória ou se eles apostaram na memória GDDR6. Lembre-se de que o Radeon VII, a mais recente placa gráfica da AMD, usa 16 GB de memória HBM2.

"O desempenho líder do setor da Flashbolt permitirá soluções aprimoradas para data centers de próxima geração, inteligência artificial, aprendizado de máquina e aplicativos gráficos", disse Jinman Han, vice-presidente sênior de planejamento de produtos de memória e equipe de engenharia de aplicativos da Samsung. "Continuaremos a expandir nossa oferta de DRAM 'premium' e atualizar nosso segmento de memória de alto desempenho, alta capacidade e baixa potência 'para atender à demanda do mercado" .

Fonte Techpowerup