3d nand memories: china começará a fabricar em 2017

A empresa Yangtze River Storage Technology (YRST) será a primeira a fabricar a nova memória 3D NAND na China. A fabricação das primeiras wafers de memória 3D NAND começará em 2017 e eles esperam produzir esse tipo de memória de 32 níveis.

Eles farão 300.000 wafers de memória 3D NAND

Os NANDs 3D são capazes de conter várias camadas de memória no mesmo silício, para que unidades SSD de maior capacidade possam ser alcançadas no mesmo espaço. Empresas como Intel-Micron ou A-DATA já possuem esse tipo de memória no mercado. Essa seria a primeira vez que um fabricante chinês começa a produzir memórias NAND Flash e DRAM.

O investimento total da empresa YRST chega a US $ 24.000 milhões para concluir a fábrica e já está planejado expandir as instalações em 2018 e uma última fase de expansão em 2019. Isso foi alcançado não apenas pelo próprio YRST, mas também por um investimento do próprio governo chinês e uma aliança com a empresa líder de semicondutores XMC. As fontes também indicam que há apoio do Tsinghua Unigroup com a colaboração da Micron, portanto, não há poucos envolvidos nesse negócio.

Espera-se que o YRST seja capaz de fabricar cerca de 300.000 bolachas por mês, o que servirá para atender à crescente demanda por memórias NAND usadas em SSDs e smartphones. As notícias são importantes, pois ajudariam a reduzir os custos desse tipo de unidades no médio prazo. Mais um passo para começar a aposentar os discos rígidos que estão conosco há décadas.