A análise do núcleo i3-8121u sob um microscópio revela os segredos dos 10 nm tri

O novo processo de fabricação de 10nm Tri-Gate da Intel está resistindo mais do que o esperado, pois já está com mais de dois anos de atraso com seu lançamento inicialmente planejado. Os pesquisadores destruíram um Core i3-8121U fabricado com esse processo, para tentar esclarecer algumas de suas chaves.

O processo de fabricação de 10nm Tri-Gate da Intel é muito ambicioso

A análise sob o microscópio do processador Core i3-8121U revelou que o processo de fabricação Tri-Gate de 10nm da Intel oferece um aumento na densidade do transistor de até 2, 7 vezes em comparação com o processo atual em 14 nm Tri-Gate. Esse grande avanço permitiu integrar nada menos que 100, 8 milhões de transistores por milímetro quadrado, o que se traduz em uma quantidade de 12, 8 bilhões de transistores em um tamanho de matriz de apenas 127 mm².

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Esse nó de 10 nm usa a tecnologia FinFET de terceira geração, caracterizada por uma redução no passo mínimo do portão de 70 nm para 54 nm e um passo mínimo de metal de 52 nm para 36 nm. Com esses 10 nm, a Intel introduzirá a metalização de cobalto nas camadas a granel e âncora do substrato de silício. O cobalto é uma boa alternativa ao tungstênio e ao cobre como material de contato entre as camadas, devido à sua menor resistência em tamanhos menores.

Esse é o processo de fabricação mais ambicioso da Intel e seria a principal causa de todos os problemas que está causando à empresa, embora seja de pouca utilidade tanta ambição se eles não conseguirem atingir um grau suficiente de maturidade. Esperamos que a Intel possa ajustá-lo para oferecer seus melhores processadores.

Fonte Techpowerup