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Memória iii-v britânica, memória não

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Anonim

Pesquisadores da Universidade de Lancaster, no Reino Unido , foram bem-sucedidos em seus esforços para criar um tipo de memória flash não volátil que é tão rápida quanto a DRAM, mas utiliza apenas 1% da energia necessária para a memória moderna NAND ou DRAM. para escrever bits de dados. A memória é denominada UK III-V Memory.

Memória III-V do Reino Unido, memória não volátil tão rápida quanto DRAM, consumindo 100 vezes menos

O uso de energia necessário é de aproximadamente 10 à potência de -17 joules para uma porta construída no processo litográfico de 20 nm. Os transistores de memória III-V do Reino Unido terão um estado normalmente desligado, e uma carga de porta levaria cerca de 5ns com o esvaziamento levando 3ns, ambas as figuras muito respeitáveis. Esses números provavelmente serão um pouco mais altos quando um controlador for adicionado, mas isso valeria a pena compensar a eficiência obtida.

O desenvolvimento ainda está no estágio simples do transistor, portanto, traduzir isso em um produto comercial completo ainda está muito longe. No entanto, a conquista da construção de memória não volátil, eficiente e rápida o suficiente para competir com a DRAM, é uma conquista.

Ter memória não volátil tão rápida quanto a DRAM é interessante porque pode ser usado para criar PCs que podem manter os dados que armazenamos atualmente na RAM quando o sistema está completamente desligado e, portanto, pode ser retomado em um instante a partir de onde foi deixado. de um estado de desligamento completo. Isso eliminaria a necessidade de estados de suspensão e também permitiria que os sistemas desligassem a RAM quando ociosos, reduzindo ainda mais o consumo de energia.

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A questão que vem à mente é se a memória UK III-V pode lidar com as reescritas repetidas pelas quais a DRAM normalmente sofre. Se o desgaste for um problema, isso pode acabar com qualquer sonho de um computador com RAM não volátil.

Fonte Tomshardware

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