Toshiba enfrenta optane com sua tecnologia xl

A Toshiba anunciou no Flash Memory Summit que está desenvolvendo a tecnologia 3D XL-Flash, com foco na criação de memória NAND 3D de baixa latência que pode competir com as tecnologias de memória Optane e 3D XPoint emergentes. A Toshiba diz que a nova abordagem para a memória NAND de baixa latência pode reduzir os valores de latência para apenas 1/10 do preço atual do NAND TLC do consumidor.

A tecnologia XL-Flash promete melhorar a latência da memória 3D-NAND

Uma arquitetura NAND atualizada com XL-Flash poderia ser equivalente ao que a Samsung está fazendo com sua tecnologia Z-NAND, o que poderia reduzir os custos de produção em comparação ao Optane. A Toshiba usará sua tecnologia de flash BiCS, mas o XL-Flash será implantado, pelo menos inicialmente, nas implementações de SLC, a fim de melhorar o desempenho (7 microssegundos de tempo de resposta versus 30 microssegundos de QLC). Obviamente, isso reduzirá a densidade de armazenamento, mas lembre-se de que o objetivo é oferecer desempenho semelhante ao Optane e densidade igual ou melhor a um preço mais baixo.

As etapas adotadas pela Toshiba para aumentar o desempenho incluem encurtar linhas de bits e linhas de palavras, conexões internas entre células ou caminhos mais curtos entre células, que significa menor latência e melhor desempenho. Além disso, o paralelismo e o desempenho foram aumentados adicionando mais planos de flash, regiões independentes que podem responder a solicitações de dados simultaneamente.

Espera-se que o XL-Flash seja usado como memória cache em unidades QLC de alta densidade, bem como produtos independentes que buscam destronar o que é oferecido pela memória Optane da Intel.

A Toshiba parece ambiciosa com a iniciativa XL-Flash e deve ser uma das maiores fabricantes de memória do mundo.

Fonte Techpowerup