Sk hynix anuncia sua nova memória ddr4 de 8gb, feita em 1ynm

A gigante da memória SK Hynix anunciou o desenvolvimento de sua memória DRAM de 8Gb 1Ynm DDR4, o que significa que pode ser fabricada com litografia de 14nm e 16nm. O novo chip oferece uma melhoria de 20% na produtividade em comparação com a versão anterior de 1Xnm e também uma melhoria de mais de 15% no consumo de energia.

Nova SK Hynix 1Ynm 8Gb DDR4 RAM

A nova DRAM SK Hynix 8Gb 1Ynm DDR4 suporta uma taxa de transferência de dados de até 3.200 Mbps, que a empresa afirma ser a velocidade de processamento de dados mais rápida na interface DDR4. A SK Hynix adotou um esquema de "tempo de 4 fases", que duplica o sinal do relógio para aumentar a velocidade e a estabilidade da transferência de dados.

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A SK Hynix também lançou sua tecnologia " Sense Amp Control " desenvolvida para reduzir o consumo de energia e os erros de dados. Com essa tecnologia, a empresa conseguiu melhorar o desempenho do amplificador sensorial. O SK Hynix melhorou a estrutura do transistor para reduzir a possibilidade de erros de dados, um desafio que acompanha a redução na tecnologia. A empresa também adicionou uma fonte de alimentação de baixa potência ao circuito para evitar consumo desnecessário de energia.

Essa DRAM DDR4 de 1 Gn e 8 Gb tem desempenho e densidade ideais para os clientes da empresa, nas palavras do vice-presidente da SK Hynix, Sean Kim. A SK Hynix planeja começar a enviar a partir do primeiro trimestre do próximo ano para responder ativamente à demanda do mercado. A SK Hynix planeja oferecer seu processo de tecnologia 1Ynm para servidores e PCs e, em seguida, para outros aplicativos, como dispositivos móveis.

Fonte Guru3d