Samsung já produz em massa a segunda geração de memória lpddr4x de 10 nanômetros
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A Samsung Electronics, líder mundial em tecnologia de memória de alto desempenho para todos os tipos de dispositivos eletrônicos, anunciou hoje que começou a fabricar em massa a segunda geração de memória LPDDR4X de 10 nanômetros.
A Samsung oferece detalhes de sua segunda geração de memórias LPDDR4X de 10 nanômetros
Esses novos chips de memória LPDDR4X de 10 nanômetros da Samsung melhorarão a eficiência energética e reduzirão o consumo de bateria de smartphones premium e outros aplicativos móveis atuais. A Samsung afirma que os novos chips oferecem uma redução de energia de até 10% e mantêm a mesma taxa de dados de 4.266 Mb / s que os chips de primeira geração a 10nm. Tudo isso permitirá soluções significativamente aprimoradas para os principais dispositivos móveis da próxima geração que devem chegar ao mercado ainda este ano ou na primeira parte de 2019.
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A Samsung expandirá sua linha de produção de memória DRAM premium em mais de 70% para atender à alta demanda atual, que deverá aumentar. Esta iniciativa começou com a produção em massa do primeiro servidor DDR4 DRM de 8 GB e 10 nm em novembro passado e continua com esse chip de memória móvel LPDDR4X de 16 Gb apenas oito meses depois.
A Samsung criou um pacote de DRAM LPDDR4X de 8 GB combinando quatro dos chips de 10nm DRD LPDDR4X 16Gb. Este pacote de quatro canais pode obter uma taxa de dados de 34, 1 GB por segundo e sua espessura foi reduzida em mais de 20% desde o pacote de primeira geração, permitindo que os OEMs projetem dispositivos móveis mais finos e eficazes.
Com seus avanços na memória LPDDR4X, a Samsung expandirá rapidamente sua participação no mercado de DRAM móvel, fornecendo uma variedade de produtos de alta capacidade.
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