Samsung inicia produção de seus chips de 512GB ufs
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Os telefones celulares, tablets e outros dispositivos inteligentes atuais exigem uma quantidade maior de armazenamento do que nunca para armazenar vídeos, jogos ou outros conteúdos multimídia de alta resolução. Isso faz com que os engenheiros enfrentem o problema de integrar uma grande quantidade de armazenamento em um espaço muito pequeno. Para resolver isso, a Samsung já produz os primeiros chips de memória UFS de 515 GB.
Samsung já faz UFS de 512 GB
A Samsung revelou oficialmente a primeira solução de armazenamento em flash universal UFS de 512 GB do mundo, que usa oito chips V-NAND Samsung 64Gb de 64 camadas em uma pilha vertical para criar o pacote eUFS de armazenamento de densidade mais alta até o momento.
Esse novo chip pode oferecer velocidades sequenciais de leitura e gravação de até 860 MB / se 255 MB / s, respectivamente, juntamente com leituras e gravações aleatórias de 42.000 e 40.000 IOPs, proporcionando um desempenho muito superior aos cartões MicroSD do que muitos usuários. use para aumentar o potencial de armazenamento do dispositivo. A Samsung afirma que o chip de memória Samsungeste pode transferir um videoclipe HD de 5 GB para um SSD em cerca de seis segundos, oito vezes mais rápido que um cartão SD padrão.
Melhores placas-mãe no mercado em 2017
Outra inovação que a Samsung oferece com este chip UFS de 512 GB é um novo design de controlador que oferece mapeamento mais rápido de unidades e uso mais eficiente de energia. Outro tipo de dispositivo que poderia se beneficiar dessa tecnologia UFS de 512 GB são os laptops ultracompactos nos quais um desses pacotes pode ser integrado para oferecer uma grande capacidade de armazenamento.
Dessa forma, a Samsung reafirma sua liderança no mercado de memória, a sul-coreana é a maior fabricante de chips do mundo, depois de ter assumido essa posição da Intel, portanto fica claro que estamos falando de um titã.
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A Samsung iniciou a produção em massa de sua nova tecnologia V-NAND de 64 camadas, que atinge uma densidade de 256 Gb por chip.
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