Samsung fala sobre sua tecnologia v

Recentemente, o evento Samsung SSD Forum foi realizado no Japão, no qual a empresa sul-coreana revelou os primeiros detalhes sobre suas próximas unidades de memória V-NAND de 96 camadas, baseadas na tecnologia QLC.

A Samsung fornece os primeiros detalhes de sua memória V-NAND QLC de 96 camadas

O uso da memória V-NAND QLC sobre o V-NAND TLC oferece uma densidade de armazenamento 33% mais alta e, portanto, um custo mais baixo de armazenamento por GB, o que é muito importante se você quiser que os SSDs substituam completamente discos rígidos mecânicos algum dia. Os primeiros SSDs da Samsung a adotar sua memória V-NAND QLC serão modelos de alta capacidade para os clientes que precisam armazenar uma grande quantidade de dados e que podem não estar interessados ​​no desempenho máximo, como os primeiros chips em esse tipo estará atrás daqueles baseados em TLC em benefícios.

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A Samsung trabalha abertamente em unidades SSD U.2 de capacidade ultra alta, baseadas na memória V-NAND QLC, há mais de um ano. Essas unidades serão usadas para aplicativos WORM (escreva uma vez, leia várias) que não são otimizadas para gravações rápidas, mas claramente superam as matrizes baseadas em HDD. A Samsung espera que suas primeiras unidades NVMe com QLC ofereçam velocidades de leitura sequenciais de até 2.500 MB / s, além de até 160K de IOPS de leitura aleatória.

Outra linha de produtos Samsung baseada na tecnologia V-NAND QLC serão SSDs de consumidor com capacidades maiores que 1 TB. Essas unidades usarão uma interface SATA e oferecerão taxa de transferência de leitura e gravação seqüencial de cerca de 520 MB / s. A Samsung não espera que o QLC V-NAND substitua o TLC V-NAND como o principal tipo de memória flash em breve. O NAND QLC requer controladores mais caros, com recursos de processamento consideravelmente mais altos, para garantir resistência adequada.

Fonte Anandtech