Samsung anuncia processo de 3nm mbcfet, 5nm chegará em 2020
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No mercado de SoC móvel, a TSMC está se movendo rapidamente quando se trata de introduzir novos nós do processo de fabricação. Hoje, a gigante coreana da tecnologia Samsung anunciou planos para uma variedade de nós de processo. Isso inclui o FinFET de 5nm e uma variação do GAAFET de 3nm que a Samsung registrou como MBCFET (Multi-Bridge-Channel-FET).
Samsung anuncia processo de 3nm MBCFET
Hoje, no Samsung Foundry Forum em Santa Clara, a empresa anunciou planos para o processo de fabricação de semicondutores de última geração. O grande anúncio é para o desenvolvimento do GAA de 3nm da Samsung, apelidado de 3GAE pela empresa. A Samsung confirmou que lançou kits de design para o nó no mês passado.
A Samsung colaborou com a IBM para os nós do processo GAAFET (Gate-All-Around), mas hoje a empresa anunciou suas adaptações ao processo anterior. Isso se chama MBCFET e, de acordo com a empresa, permite uma corrente mais alta por bateria, substituindo o nanofio Gate All Around por uma nanoescala. A substituição aumenta a área de condução e permite a adição de mais portas sem aumentar a pegada lateral. Dados muito técnicos, mas com um resultado que deve melhorar muito o desenvolvimento do FinFET.
O projeto do produto para o processo FinFET de 5nm da Samsung, desenvolvido em abril, deve ser concluído no segundo semestre deste ano e colocado em produção em massa no primeiro semestre de 2020.
No segundo semestre deste ano, a Samsung planeja iniciar a produção em massa de dispositivos de processo de 6 nm e concluir o desenvolvimento do processo de 4 nm. O projeto do produto para o processo FinFET de 5nm da Samsung, desenvolvido em abril, deve ser concluído no segundo semestre deste ano e colocado em produção em massa no primeiro semestre de 2020.
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