Os processos de fabricação de euv a 7 nm e 5 nm têm mais dificuldades do que o previsto
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O avanço nos processos de fabricação de chips de silício está se tornando mais complicado, algo que pode ser visto com a mesma Intel que teve grandes dificuldades em seu processo a 10 nm, o que a levou a prolongar significativamente a vida útil da os 14 nm. Outras fundições, como a Globalfoundries e a TSMC, estão tendo mais dificuldades do que o previsto no salto para processos de 7nm e 5nm com base na tecnologia EUV.
Mais problemas do que o previsto nos processos EUV em 7nm e 5nm
À medida que a Intel, a Globalfoundries e a TSMC avançam em direção a processos de fabricação inferiores a 7 nm com bolachas de 250 mm e uso da tecnologia EUV, elas enfrentam muitas mais dificuldades do que o previsto. Os rendimentos do processo a 7 nm com EUV ainda não estão onde os fabricantes desejam estar, algo que será ainda mais tributado com a mudança para 5 nm com várias anomalias diferentes que surgem na produção de teste. Foi dito que leva dias para os pesquisadores procurarem defeitos nos chips de 7nm e 5nm.
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Vários problemas de impressão estão surgindo em dimensões críticas de cerca de 15 nm, necessários para produzir chips de 5 nm, cuja produção é esperada para 2020. A ASML, fabricante de máquinas EUV, está preparando um novo sistema EUV de próxima geração Lidando com esses defeitos de impressão encontrados, mas não se espera que esses sistemas estejam disponíveis até 2024.
Além de tudo isso, há outra dificuldade relacionada aos processos de fabricação baseados em EUV, a física subjacente a ela. Pesquisadores e engenheiros ainda não entendem exatamente quais interações são relevantes e ocorrem na gravação desses padrões extremamente finos com iluminação EUV. Portanto, é esperado que alguns problemas imprevistos surjam.
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