Samsung inicia produção em massa de módulos eufs 3.0

A Samsung anunciou hoje que começou a produzir em massa os primeiros módulos de armazenamento flash universal eUFS 3.0 de 512 GB da indústria para dispositivos móveis de próxima geração.

Os smartphones da próxima geração terão capacidades de até 1 TB, graças ao eUFS 3.0

De acordo com a especificação mais recente do eUFS 3.0, a nova memória Samsung oferece o dobro da velocidade do eUFS anterior (eUFS 2.1), permitindo uma experiência incomparável ao usuário em futuros smartphones com telas grandes e de alta resolução com o dobro da triplicar a capacidade de armazenamento em smartphones.

A Samsung produziu a primeira interface UFS do setor com o eUFS 2.0 em janeiro de 2015, 1, 4 vezes mais rápido que o padrão de memória móvel da época, conhecido como Cartão de Mídia Integrado (eMMC) 5.1. Em apenas quatro anos, o novo eUFS 3.0 da empresa corresponderá ao desempenho dos notebooks ultrabook atuais.

O eUFS 3.0 de 512 GB da Samsung empilha oito das matrizes V-NAND de 512 gigabit de quinta geração (Gb) da empresa e integra um controlador de alto desempenho. Com 2.100 megabytes por segundo (MB / s), o novo eUFS duplica a velocidade de leitura seqüencial da mais recente memória eUFS da Samsung (eUFS 2.1) anunciada em janeiro. A velocidade de leitura da nova solução é quatro vezes mais rápida que a de uma unidade de estado sólido (SSD) SATA e 20 vezes mais rápida que o cartão microSD de hoje.

A velocidade de gravação será de 410 MB / s, isso é equivalente a um SSD SATA atual. Também são estimadas 63.000 e 68.000 operações de entrada / saída por segundo (IOPS).

A Samsung também planeja fabricar módulos de 1TB eUFS 3.0 no segundo semestre do ano.

Fonte Techpowerup