Samsung inicia produção de suas novas memórias emram
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A Samsung Electronics anunciou hoje que iniciou a produção em série de suas novas memórias eMRAM usando um processo de fabricação de 28 nanômetros (FD-SOI).
As memórias eMRAM da Samsung prometem revolucionar a indústria
A memória MRAM está em desenvolvimento há muitos anos e é uma RAM magnética não volátil, o que significa que não perde dados quando não há energia, como ocorre com a RAM normal hoje.
A solução eMRAM baseada em 28FDS da Samsung oferece benefícios sem precedentes de potência e velocidade a um custo menor. Como a eMRAM não requer um ciclo claro antes de gravar dados, sua velocidade de gravação é aproximadamente mil vezes mais rápida que o eFlash. Além disso, a eMRAM usa tensões mais baixas que as memórias Flash e não consome energia elétrica no modo desligado, resultando em alta eficiência energética.
As vantagens sobre as memórias usadas hoje em dia, como memórias RAM e Flash, são revolucionárias, com latências de 1ns, maior velocidade e maior resistência. As memórias eMRAM foram projetadas para substituir as atuais memórias RAM e Flash NAND, embora tenhamos que esperar um pouco.
Dizem que os primeiros módulos criados pela Samsung terão uma capacidade muito limitada. A empresa coreana não quis dar muitos detalhes sobre os módulos que está fabricando, mas a intenção é começar a testar um módulo de 1 GB antes do final de 2019. Mais tarde, a Samsung também planeja fabricar eMRAM usando seu processo 18FDS, bem como nós baseado em FinFETs mais avançados.
Este pode ser o nascimento de uma nova era quando se trata de armazenamento de computadores. Estaremos acompanhando sua evolução.
Fonte TechpowerupAnandtechSamsung inicia produção em massa de suas memórias v
A Samsung iniciou a produção em massa de sua nova tecnologia V-NAND de 64 camadas, que atinge uma densidade de 256 Gb por chip.
Samsung inicia produção de memórias 12gb lpddr5
Esses módulos LPDDR5 terão uma velocidade de 5.500 Mbps, um aumento de 1,3 vezes a velocidade dos módulos LPDDR4X existentes.
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