A memória mram da Intel está pronta para produção em massa
Índice:
- MRAM promete substituir as memórias DRAM e NAND Flash
- Pode armazenar informações por até 10 anos e resiste a 200 graus de temperatura
Um relatório do EETimes mostra a MRAM (memória de acesso aleatório magnetoresistiva) da Intel, pronta para produção em grande volume. MRAM é uma tecnologia de memória não volátil, o que significa que ela pode reter informações, mesmo que haja uma perda de energia; isso se assemelha mais a um dispositivo de armazenamento do que a RAM padrão.
MRAM promete substituir as memórias DRAM e NAND Flash
A memória MRAM está sendo desenvolvida para substituir no futuro a memória DRAM (RAM) e o armazenamento de memória flash NAND.
O MRAM promete ser muito mais fácil de fabricar e oferecer taxas de desempenho superiores. O fato de o MRAM ter demonstrado ser capaz de atingir tempos de resposta de 1 ns, melhor do que os limites teóricos atualmente aceitos para DRAM e velocidades de gravação muito mais altas (até milhares de vezes mais rápidas) em comparação com a tecnologia de flash NAND, são as razões pelas quais esse tipo de memória é tão importante.
Pode armazenar informações por até 10 anos e resiste a 200 graus de temperatura
Com os recursos atuais, o MRAM permite a retenção de dados de 10 anos a 125 graus Celsius e um alto grau de resistência. Além da alta resistência, a tecnologia MRAM integrada de 22nm tem uma taxa de bits acima de 99, 9%, um feito surpreendente para uma tecnologia relativamente nova.
Não se sabe exatamente por que a Intel está usando um processo de 22nm para a fabricação dessas memórias, mas podemos intuir que não é para saturar a produção em 14nm, que é a usada por seus processadores de CPU. Eles também não comentaram quanto tempo teremos que esperar até vermos essa memória em ação no mercado de PCs.
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