Intel e micron atingem alta densidade de armazenamento em nand tlc
A Intel está pronta para dar um forte impulso ao mercado já anunciado de SSDs domésticos que se prepara para lançar seu primeiro dispositivo SSD de memória NAND 3D no segundo semestre de 2015.
Os novos dispositivos com 3D NAND são o resultado da aliança entre Intel e Micron, eles alcançaram uma tecnologia capaz de oferecer 256Gb (32GB) de capacidade de armazenamento em uma única matriz MLC, uma quantidade que pode ser aumentada para 48 GB por matriz usando a memória flash do TLC.
A Samsung também usa a tecnologia TLC, mas alcançou uma capacidade de armazenamento muito menor do que a alcançada pela aliança entre Intel e Micron, os coreanos atingiram apenas capacidades de 86 Gb e 128 Gb em MLC e TLC, respectivamente.
A nova densidade de armazenamento de dados alcançada pela Intel e Micron pode levar a dispositivos SSD muito econômicos no futuro, juntamente com outros dispositivos com enorme capacidade de armazenamento em comparação com os existentes hoje.
Fonte: dvhardware
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