Hynix lança a primeira memória flash 96d de 512GB Nand CTF 4d

Índice:
- SK Hynix introduziu suas novas memórias 4D NAND de 96 camadas
- Os primeiros drives de 1 TB chegariam em 2019
A SK Hynix lançou hoje o primeiro flash NAND 4D NAND de 96 camadas com 512 GB e 96 camadas (Charge Trap Flash) do mundo. Esse novo tipo de memória flash ainda é baseado na tecnologia 3D TLC, mas a SK Hynix adicionou uma quarta dimensão devido à sua combinação da tecnologia de flash de interceptação de carga em conjunto com a 'PUC' (tecnologia Peri. Under Cell).
SK Hynix introduziu suas novas memórias 4D NAND de 96 camadas
A SK Hynix diz que seu foco é (obviamente) melhor do que a abordagem de porta flutuante 3D comumente usada. O design do chip 4D NAND resulta em uma redução de mais de 30% no tamanho do chip e aumenta a produtividade bit por wafer em 49% em comparação com o NAND 3D de 512 Gb 3D e 72 camadas da empresa. Além disso, o produto possui 30% mais velocidade de gravação e 25% mais desempenho de leitura de dados.
A largura de banda dos dados também dobrou para se tornar a líder do setor (em tamanho), com 64 KB. A taxa de E / S de dados (entrada / saída) atinge 1.200 Mbps (megabits / s) com uma tensão de 1, 2 V.
Os primeiros drives de 1 TB chegariam em 2019
O plano é apresentar unidades consumidoras com capacidades de até 1 TB, juntamente com drivers e firmware SK Hynix. A empresa planeja usar chips de memória de 1 camada TLC e QLC de 96 camadas em 2019.
Esse é o futuro das unidades de estado sólido, com melhorias em todas as frentes, recursos aprimorados e velocidades de leitura e gravação.
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A Toshiba anunciou hoje sua nova tecnologia de memória NAND QLC com uma densidade de armazenamento mais alta do que a oferecida pelo TLC.
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Para atingir sua capacidade insana de 32 GB por módulo, a ZADAK criou essa memória com o dobro de chips que uma DRAM DDR4 comum.
A sk hynix já fornece sua memória flash qlc 4d nand de 96 camadas

A SK Hynix chama sua tecnologia 4D NAND porque usa uma combinação da tecnologia 3D Charge Trap Flash (CTF) e da tecnologia Periphery Under Cell (PUC).